报告题目：基于先进化合物半导体量子材料的光电器件研究

报告人：庄乾东教授

工作单位：英国兰卡斯特大学

报告人简介：

庄乾东,在中科院北京半导体所获得博士学位，先后在新加坡南洋理工大学和英国格拉斯哥大学担任研究科学家。2003年加入兰卡斯特大学，现为英国兰卡斯特大学物理系教授，兰卡斯特量子技术中心半导体量子材料和器件实验室负责人，半导体材料与器件领域的知名专家，是IOP Fellow 和 IEEE 的高级会员，也是Nature Scientific Reports 和 IOP Semiconductors 的编委会成员，英国研究与创新未来领袖奖学金小组成员。在Nano Letters、Nature Communication、Advanced Functional Materials 和 National Science Review等顶尖期刊发表110 多篇论文，参与出版学术专著2本。主持和参与多项国际科研项目攻关，包括 EPSRC、Innovate UK、皇家学会和欧盟委员会项目等，资助金额超过 650万英镑。近些年，一直从事半导体量子材料和器件的研究，重点研发 III-V 族化合物半导体量子材料和器件，近期研究特别关注用于先进光电子学和集成电路的量子点、纳米线、级联量子结构和 III-V/Si 的结构研究。

内容简介：

化合物半导体量子材料因其独特的功能和作为先进器件新构建模块的潜力，在过去几十年中引起了越来越多的关注。报告概述量子点/环、II 型超晶格和量子级联结构及其器件应用的最新进展。特别关注一维III-V 化合物半导体纳米线及其Si基器件的集成研究，利用了III-V独特的光学和电子特性以及与Si基成熟的处理手段达到低成本批量生产的优势。报告证明了课题组最近在纳米线及其混合材料系统方面的研究成果，以及在红外光探测相关领域的应用。还专门讨论基于 InAsSb纳米线的Si量子材料的单片混合结构，探讨了量子复合结构器件市场化应用的前景，以及在红外光探测领域的相关研究。